英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3大功率IGBT

型號：	FZ3600R17KE3
報價：	9999

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

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詳細資料：

1700V IHM 190mm single switch IGBT Module with IGBT3

集電極—發(fā)射極zui大電壓 VCEO:   1700 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:   4800 A
zui大工作溫度:   + 125 C
封裝 / 箱體:   IHM190
柵極/發(fā)射極zui大電壓:   +/- 20 V
zui小工作溫度:   - 40 C

FZ200R12KF2	FZ200R65KF1	FZ400R65KF1	FZ400R17KE3
FZ300R12KF2	FZ400R12KF2	FZ400R12KS4	FZ400R12KE3
FZ500R12KL4C	FZ600R12KE3	FZ600R17KE3	FZ800R12KE3
FZ600R12KS4	FZ800R12KF4	FZ800R16KF4	FZ800R33KF1
FZ900R12KF5	FZ900R16KF1	FZ1000R12KF4	FZ1000R12KF5
FZ1000R25KF1	FZ1050R12KF4	FZ1200R12KF4	FZ1200R12KF5
FZ1200R12KL4C	FZ1200R16KF4	FZ1200R25KF1	FZ1200R33KF1
FZ800R12KS4	FZ800R33KF2	FZ1200R25KF4	FZ1200R33KF2
FZ1200R33KF1	FZ1600R12KF4	FZ1600R17KF6C	FZ1800R12KF4
FZ1500R25KF1	FZ1800R16KF4	FZ2400R12KF4	FZ2400R17KF6B
FZ3600R12KE3	FZ3600R17KE3	FZ600R65KF1	FZ1200R12KE3
FZ1600R12KE3	FZ2400R12KE3	FZ2400R12KL4C	FZ1600R12KL4C

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